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习近平

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走近保定工匠 | 刘少华:不断优化碳化硅衬底加工工艺

发布时间:2024年07月25日 文章来源:河工新闻网

  刘少华1986年出生,河北同光半导体股份有限公司技术中心加工技术部技术主管,电子工程专业高级工程师,长年从事碳化硅衬底研磨抛光的工艺技术开发与优化工作,主持参与完成多项技术提升项目,曾获河北省科学技术成果及保定市科技进步奖,获得发明专利3项。2023年获评首届“保定市高新区工匠”,2024年获评第二届“保定工匠”。

  工作中,刘少华善于攻坚克难,克服解决了项目研发过程中遇到的多项技术问题,推动项目顺利完成产业化量产,为公司产品质量提升及成本降低做出积极贡献。

  在大尺寸碳化硅晶片研磨抛光工艺路线选型期间,刘少华曾遇到大尺寸晶片加工过程中出现异响,导致晶片研磨抛光时频繁发生裂片现象,研发进程因此停滞。刘少华化身为一名操作工,仔细检查上料下料每一片晶片,不放过每一个细节,全程观察设备参数的变化,检测晶片加工前后的指标变化,寻找规律。经过与团队一起开展“头脑风暴”,将所有相关的影响因素设计实验进行全面排查,最终找到了问题的关键影响因素,在解决一个又一个问题后,最终实现规模化量产。

  半导体器件的制作对衬底晶圆的平坦度及表面质量要求极高,为了提升大尺寸晶圆的平坦度及表面质量,刘少华带领工艺团队将研磨抛光的前后多个加工工序有机结合,创造性研发出一条提升大尺寸晶圆加工平坦度的加工方案,经过稳定的规模化量产,该加工方案可以将大尺寸晶圆的平坦度控制在TTV小于5微米以内,晶圆表面粗糙度小于0.2纳米以内,实现了无划伤的高质量表面。“碳化硅衬底加工工艺的每一次优化,生产成本的每一次降低,衬底性能指标的每一次提升,都是一次又一次突破自我,也是我们为之自豪的时刻。”刘少华说。

  刘少华还曾成功完成《亚微米划伤改善》、《衬底表面质量的研究》、《8inch衬底加工流程优化》等指标提升项目,并作为研究团队成员参与申报《先进碳化硅单晶材料中试熟化基地》及2023年度河北省省级科技计划项目《低缺陷密度8英寸碳化硅单晶衬底制备技术及应用示范》等多个省级科技计划项目。

  刘少华表示,扎根生产一线,对生产工艺精益求精,不断提升规模化生产工艺水平,是他持之以恒的追求。今后,他将与公司同仁一道,为打破国外半导体碳化硅衬底的封锁禁售,实现高质量国产碳化硅衬底的量产继续贡献自己的力量。

  (吕新生 李畅 闫倩欣)